美國時間7月25日，MACOM宣布已全面接管其收購的，位于北卡羅來納州三角研究園的晶圓廠的運營。該晶圓廠被稱為“RTP 工廠”，于2023年底從Wolfspeed公司購得，該晶圓廠專注于生產用于射頻功率器件和單片微波集成電路（MMICs）的GaN-on-SiC工藝技術。其產品主要應用于電信系統基礎設施和國防電子領域。

Macom是一家全球領先的半導體公司，總部位于美國馬薩諸塞州洛厄爾市，分支機構覆蓋美國、歐洲和亞洲。Macom專注于高性能模擬射頻、微波、毫米波及光子集成電路的研發與生產，其產品廣泛應用于通信、汽車電子、航空航天等領域。

Macom的核心技術集中在模擬射頻、微波及光子集成電路領域，尤其在無線通信和光纖通信系統中發揮關鍵作用。其產品如功率放大器、低噪聲放大器等，能顯著提升信號傳輸速度和穩定性，滿足5G基站、衛星通信等高帶寬需求場景。光子集成電路技術則支持數據中心和長距離光纖網絡的高效運行。

Macom通過收購ENGIN-IC和Wolfspeed射頻業務，強化了在氮化鎵（GaN）技術領域的布局。ENGIN-IC的GaN MMIC技術增強了其在射頻功率器件市場的競爭力，而Wolfspeed的射頻業務則拓展了其在國防、航空航天等領域的應用場景。

從襯底材料來看，氮化鎵器件主要有四種類型，分別是硅基氮化鎵（GaN-on-Si）、藍寶石基氮化鎵（GaN-on-Sapphire）、碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）、氮化鎵基氮化鎵（GaN-on-GaN）。硅襯底成本僅為碳化硅的1/10，且可直接利用現有8英寸硅晶圓產線，硅基氮化鎵（GaN-on-Si）因此成為最具成本優勢的技術路線。目前市面上主要的GaN器件企業都采用了GaN-on-Si技術方案。